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    第三代半導體產業創新發展大會在南京召開
    來源:新聞中心
    發布時間:2023年09月08日 編輯:新聞中心

      9月6日,南京市人民政府、中國電科指導,國家第三代半導體技術創新中心主辦的第三代半導體產業創新發展大會在南京召開。江蘇省政府黨組成員趙巖,南京市市長陳之常,中國電科總經理、黨組副書記陳錫明出席會議并致辭。

           趙巖表示,江蘇堅持把第三代半導體產業作為未來產業發展的重點方向,目前已經形成了全產業鏈布局。要深入學習貫徹習近平總書記對江蘇工作重要講話精神,加快推動江蘇省第三代半導體技術創新與產業高質量發展,為打造具有全球影響力的產業科技創新中心作出積極貢獻。著力加強關鍵核心技術攻關,努力產出更多基礎性、前沿性、顛覆性技術成果;著力強化重大科技創新平臺建設,加快構建各類創新主體和創新資源有效協同的聯合創新體系;著力推動產業高質量發展,加快科技成果轉化和產業化,推進產業強鏈補鏈延鏈;著力營造優良創新生態,推動產學研用金深度融合,加強高層次人才引進和培育,打造第三代半導體領域創新和人才高地。

      陳之常表示,南京將錨定產業強市建設戰略部署,發揮科技人才優勢,積極搶占未來產業新賽道,著力推動關鍵技術取得新突破、產業能級實現新躍升、生態支撐達到新水平,加快打造第三代半導體產業高地。希望與中國電科集團全面深化合作,攜手推進國家第三代半導體技術創新中心(南京)建設,聚力打造生態化集群式發展樣本,共同書寫央地合作、互利共贏的嶄新篇章。

      陳錫明表示,第三代半導體作為全球半導體技術和產業前沿領域,將有力推動我國戰略性新興產業布局和發展。中國電科希望與地方政府、行業專家、業界同行開展緊密合作,加強原創技術供給,強化產學研用聯合,推動跨學科、跨領域協同創新,補短板和鍛長板共同發力,科技和產業深度融合,開放和自主相輔相成,創新體系和體系性創新相互促進,共同構筑自主創新的“核心圈”和產業發展的“朋友圈”。

      國家第三代半導體技術創新中心在科技部的指導下、在各地政府的支持下,與相關高校、科研院所、行業企業等密切協同,布局深圳、南京、蘇州、山西、湖南、北京六個區域平臺,聚焦第三代半導體全產業鏈,開展協同攻關,突破關鍵共性技術,取得了一批階段性、標志性成果,可持續發展的創新生態初步形成。 會議作第三代半導體產業發展和技術發展趨勢報告。國家第三代半導體技術創新中心(南京)平臺集中發布重大科技成果,宣布一期項目竣工投產。

      經過兩年砥礪奮進,國家第三代半導體技術創新中心(南京)科研團隊聚焦新能源汽車、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網等賽道,攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產品”和“面向智能電網和高鐵應用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”,收獲一批重大成果。

      碳化硅MOSFET芯片是新能源汽車車載充電機的“心臟”,可大幅提高新能源汽車充電效率??蒲袌F隊突破高可靠芯片設計等關鍵技術,形成大電流碳化硅MOSFET器件系列產品,研制出電驅用碳化硅功率模塊系列產品。目前,碳化硅MOSFET芯片已在國內頭部車企車載電源系統中使用超過1300萬只,保障近200萬輛汽車需求。自主研發的高壓碳化硅器件及功率模塊,在全碳化硅柔直變電站投入示范應用。生產國內首個邏輯、驅動、功率開關全氮化鎵半橋功率芯片,為更高工作頻率、高可靠電源應用奠定基礎。

      大會同步召開國家第三代半導體技術創新中心專家委員會會議、寬禁帶半導體器件與集成技術全國重點實驗室學術委員會會議,聚焦行業技術前沿、產業上下游需求,分享科技陣地前沿,探討產業發展。

      

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